[IT비즈뉴스 최태우 기자] 삼성전자가 28나노(nm) FD-SOI 공정 기반의 내장형 MRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, eMRAM)제품을 출하했다.

FD-SOI 공정은 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이다. MRAM은 비휘발성이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠른 장점이 있다. 사측은 2개 기술을 융합해 저전력 기반의 빠르고 소형화도 가능한 내장메모리 양산에 성공했다고 설명했다.

내장형메모리는 IoT 단말과 같은 소형 전자제품에 사용되는 마이크로컨트롤러유닛(MCU), SoC와 같은 시스템반도체에서 정보를 저장하는 역할을 하는 메모리 모듈이다.

주로 플래시(Flash)를 기반으로 한 e플래시가 사용되지만, 데이터를 기록할 때 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치면서 속도, 전력효율성이 떨어지는 단점이 존재한다. 이번에 출하된 28나노 FD-SOI eMRAM는 데이터 기록 시 삭제과정이 필요없어 기존 e플래시 대비 1000배 빠른 쓰기 속도를 지원한다.

전원이 꺼진 상태에서 데이터를 계속 유지하면서 대기전력을 소모하지 않고 데이터 기록 시 필요한 동작전압도 낮춰 전력효율성도 높은 점이 특징이다. 사측은 기존의 로직 공정 기반 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능해 설계·생산비용 부담에서도 자유롭다고 설명했다.

올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하고 내장형메모리 제품군을 확대, 추진하면서 파운드리 경쟁력을 확보해 나갈 계획이다.

삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 이상현 상무는 “신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형메모리 솔루션을 선보이게 됐다”며 “이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용하면서 차별화된 경쟁력, 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응할 것”이라고 밝혔다.