[IT비즈뉴스 최태우 기자] 삼성전자가 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램 개발에 성공했다. 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만이다.

사측은 3세대 10나노급 D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인완료한 상태라고 설명했다. 3세대 10나노급 D램은 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급 D램 대비 생산성을 20% 이상 향상됐으며 전력효율도 개선됐다.

삼성전자는 올해 하반기에 3세대 10나노급 D램을 본격 양산하고 내년부터는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 시장에 공급할 예정이다. 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축하고 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.

아울러 글로벌 주요 고객사와 차세대 시스템 개발단계부터 협력하면서 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려가면서 차세대 시스템 적기 출시를 지원하고 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여할 것”이라고 강조했다.