[IT비즈뉴스 최태우 기자] SK하이닉스가 업계 최고속 HBM2E D램 개발에 성공했다. HBM2 대비 처리속도를 50% 향상된 차세대 메모리로 슈퍼컴퓨터(HPC), 머신러닝(ML) 솔루션 등 고사양 메모리 수요가 높은 하이퍼스케일 인프라에 최적화됐다는 게 사측 설명이다.

고대역폭메모리(HBM)은 기존의 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 차세대 메모리로 주목받고 있다.

HBM은 메모리를 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아닌 칩 자체를 GPU와 같은 로직에 수십um 간격 수준으로 가까이 장착하는 구조를 띈다. 칩 간의 거리를 단축시키면서 데이터 처리 속도를 단축시키는 구조다.

SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있다. 이론적으로는 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능하다. 이는 FHD급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.

용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상하층 구멍을 수직으로 관통하면서 전극으로 연결하는 기술인 TSV(Through Silicon Via)을 적용, 수직으로 연결하면서 16GB를 구현했다.

SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 강화해나갈 계획”이라고 밝혔다.