[IT비즈뉴스 최태우 기자] SK하이닉스가 21일 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gbit) DDR4 D램 개발에 성공했다고 밝혔다.

개발에 성공한 D램은 단일 칩 기준으로 최대 용량인 16Gb를 구현하고 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 사측 설명에 따르면 2세대(1y) 제품비 생산성은 약 27% 높아졌고 극자외선(EUV)) 노광 공정 없이도 생산이 가능해 경쟁력도 확보된 상태다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율성도 대폭 높아져 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량 모듈비 전력 소비를 약 40% 줄였다.

특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했으며 새로운 설계 기술을 도입하면서 동작 안정성도 높였다는 게 사측 설명이다.

SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대·적용한다는 계획이다.

SK하이닉스 D램개발사업부 1z TF장인 이정훈 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰 고성능/고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내 양산준비를 마치고 내년부터 공급에 나서면서 시장 수요에 대응할 계획”이라고 밝혔다.