0.25µm GaN-on-SiC 공정에서 생산되는 고출력 S밴드 전력증폭기로 58dBm 이상의 포화 출력 전력과 25dB 이상의 대신호 이득을 제공하면서 설계 디자인 상에서의 시스템통합 과정을 단순화할 수 있는 점도 특징이다.
전력부가효율(PAE)은 53% 이상, 양의게이트전류(PSAT)를 인입하기 시작하는 RF 출력은 50dBm으로 측정된다. 입력 반사 손실은 최저 13dB, 출력 반사 손실은 최저 7dB 수준이다.
시스템통합 간소화를 위해 50Ω으로 완전히 정합되는 RF 포트 2개를 지원하며 각 포트마다 DC 차단 커패시터와 결합돼 있다.
작동온도는 –40도 ~ 85도, 최대 온도 범위에서 전력 손실 117W를 제공한다. 리드 선이 없고 RoHS 규격을 준수하며 S밴드 레이더 애플리케이션 설계에 최적화됐다. 7.0 × 7.0 × 0.85mm의 소형 패키지로 공급된다.
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