16GB 용량의 3세대 고대역폭메모리(HBM2E) D램 모듈인 플래시볼트는 2세대 대비 속도와 용량이 각각 1.3배, 2.0배 향상됐다. 1개의 버퍼 칩 위에 16기가비트(Gb) D램 칩(10나노급) 8개를 쌓아 16GB 용량을 구현했다.
삼성전자는 16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 초고집적 TSV 설계 기술을 제품에 적용했다.
신호전송 최적화 회로설계로 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트의 속도로 410GB의 데이터를 처리한다. 이는 5GB 용량의 풀HD 영화 82편을 1초에 전달할 수 있는 속도다.
삼성전자는 올해 해당 제품을 양산하면서 기존 AI 기반 초고속 데이터 분석과 고성능 그래픽 시스템을 개선하고 HPC의 성능 한계를 극복해 차세대 고성능 시스템 적기 개발에 기여한다는 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “역대 최고 성능의 차세대 D램 패키지 출시로 빠르게 성장하는 프리미엄 시장에서 사업 경쟁력을 계속 유지할 수 있게 됐다”며 “향후 더욱 차별화된 솔루션을 제공해 독보적인 사업 역량을 강화시킬 계획”이라고 강조했다.