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마이크로칩, 고수준 전력밀도 강점 SiC 파워IC 2종 발표

[IT비즈뉴스 김진수 기자] 마이크로칩의 자회사인 마이크로세미(Microsemi)가 18일 높은 수준의 전력밀도를 제공하는 와이드 밴드갭 기술이 적용된 새로운 실리콘카바이드(SiC) 파워 디바이스 제품군 2종을 발표했다.

자동차, 산업, 항공·국방용 산업 애플리케이션에서 시스템의 효율과 견고성, 전력밀도를 개선하는 실리콘카바이드(SiC) 전력 제품의 수요가 늘고 있다. 마이크로칩은 기존의 파워IC 포트폴리오를 확장하고 빠르게 성장하는 전기차(EV)와 여타 고전력 애플리케이션에 요구되는 신뢰성 높은 SiC 제품군을 확장하고 관련 시장 확대에 나선다는 계획이다.

기존의 SiC 전력 모듈 포트폴리오에 새롭게 추가된 제품은 700V SiC MOSFET과 700V/1200V 쇼트키배리어다이오드(SBD) 모듈로 높은 주파수에서 효율적인 스위칭이 가능하며 고수준의 견고성 테스트를 통과한 상태다.

디바이스가 애벌런치(Avalanche) 조건에서 성능 저하나 초기 장애를 얼마나 잘 견뎌내는지를 측정하는 UIS(Unclamped Inductive Switching) 견고성 테스트에서 SiC SBD는 타제품 대비 20% 더 높은 성능을 지원한다는 게 사측 설명이다.

애벌런치 조건은 전압 스파이크가 디바이스의 항복 전압을 초과하는 경우에 발생한다. 마이크로칩의 SiC MOSFET는 반복 UIS(RUIS) 테스트를 10만회 수행한 후에도 파라미터 상 전체적인 성능 저하가 거의 나타나지 않는 점도 내세우는 기술적 강점이다.

기존 마이크로칩의 실리콘카바이드 SPICE 모델, SiC 드라이버 보드 레퍼런스 디자인과 비엔나 역률교정(PFC) 레퍼런스 디자인과 호환 가능하며 현재 양산 중이다.

김진수 기자  embe@itbiznews.com

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