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램리서치, 3D낸드 스케일용 웨이퍼 스트레스 관리 솔루션 발표
[source=lam research VECTOR Products]

[IT비즈뉴스 김진수 기자] 램리서치가 13일 인공지능(AI)/머신러닝(ML) 구현에서 칩 메모리 밀도를 높이는 데 필요한 후면 증착용 벡터(VECTOR) DT와 후면과 베벨의 박막(film) 제거용 EOS GS 습식 식각장비를 제품군에 추가했다.

그간 고종횡비(HAR) 증착과 식각이 3D낸드(NAND) 스케일링의 핵심 기술로 자리하고 있으나 적층 박막의 스트레스 누적에 따른 웨이퍼 보우(wafer bow)를 제어하면서 증착 단을 늘리는 기술 개발이 진행돼 왔다.

스트레스에 의한 웨이퍼 변형(distortion)은 리소그래피 초점심도(depth-of-focus) 저하, 오버레이 성능 저하, 구조적 변형을 일으켜 웨이퍼 수율에 영향을 미치기 때문에 전체 제조 공정에서의 여러 단계에서 웨이퍼, 다이, 피처 수준의 스트레스를 관리해야 한다.

VECTOR DT 시스템은 램리서치의 플라즈마 화학기상 증착법(PECVD) 라인에 최근 추가된 장비로 웨이퍼 전면에는 닿지 않고 후면에 가변 카운터 스트레스 박막을 증착해 웨이퍼 형상을 관리하는 단일 단계(single-step) 장비다. 

VECTOR DT를 보완하는 EOS GS 습식 식각장비는 후면과 베벨 박막을 동시에 제거해 업계 최고의 습식 식각 균일성을 구현하면서 웨이퍼 전면을 보호하는 기능을 지원하는 장비다.

세샤 바라다라잔 램리서치 엔지니어는 “목표 수율을 달성하고 비트당 비용 로드맵을 실현하려면 스트레스로 인한 변형을 최소화하는 것이 기술적인 주요 관건”이라고 말했다.

김진수 기자  embe@itbiznews.com

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