[IT비즈뉴스 최태우 기자] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST마이크로)가 완벽한 600V/8A 단상 MOSFET 풀 브리지를 통합한 13 x 11mm 크기의 전력반도체 신제품(모델명: PWD13F60 SiP)를 출시했다.

PWD13F60은 디스크리트 부품으로는 타 제품 대비 풋프린트가 60% 작다. 4개의 전력 MOSFET을 통합해 시장에 공급되고 있는 일반적인 듀얼-FET 하프-브리지, 6-FET 3-상 디바이스와 같은 모듈을 효율적으로 대체할 수 있다.

내부 MOSFET을 사용하지 않고 PWD13F60 하나를 사용해 단상 풀-브리지를 구현할 수도 있다. 이 모듈은 풀-브리지 한 개나 하프-브리지 2개로도 유연하게 구성할 수 있다.

자체 고전압 BCD6s-오프라인 제조공정 기반의 PWD13F60은 전력 MOSFET을 위한 게이트 드라이버와 하이-사이드 구동에 필요한 부트스트랩 다이오드를 통합하고 있다. 이를 통해 외부 부품을 사용할 필요가 없어 보드 설계를 간소화하고 어셈블리를 손쉽게 구현할 수 있다.

이 게이트 드라이버는 안정적인 스위칭과 낮은 EMI에 최적화돼 있다. SiP(System-in-Package)는 크로스 컨덕션 프로텍션(Cross-conduction protection)과 UVLO(Under-Voltage Lockout)를 갖춰 시스템의 안전을 보장하는 동시에 소형화가 가능하다.

이외에 6.5V까지의 폭넓은 구동 전압 범위는 설계를 간소화할 수 있으며 SiP 입력은 3.3~15V까지 로직 신호를 받을 수 있어 MCU 및 DSP 또는 홀(Hall) 센서와 함께 활용 가능하다.

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