세계 최소 칩 사이즈 '8Gb DDR4 D램' 공급 개시

[IT비즈뉴스 최태우 기자] 삼성전자가 10나노(nm)급 2세대(1y나노) D램 양산을 시작한다. 삼성전자는 지난달부터 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산에 돌입했다.

2016년 2월에 1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램을 양산하며 본격적인 10나노급 D램을 양산한지 21개월만이다.

삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다고 강조했다.

사진은 삼성전자가 양산을 시작하는 '1y나노 공정기반 8Gb DDR4 D램' 제품

특히 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량/속도/소비전력효율을 2배 향상한 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입한다는 계획이다.

이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 ▲초고속·초절전·초소형 회로 설계 ▲초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 ▲2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다. 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 이상 향상됐고 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다.

진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다”며 “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 1y나노 D램 모듈의 CPU업체 실장 평가를 완료하고 글로벌 주요 고객과 차세대 시스템 개발관련 기술 협력을 추진하고 있다. 10나노급 D램 라인업으로 서버, 모바일 및 그래픽 시장 등 프리미엄 메모리 시장을 지속 선점해 나갈 계획이다.

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