[IT비즈뉴스 최태우 기자] 로옴이 우수한 물성과 고주파 특성으로 빠르게 성장하고 있는 질화칼륨(GaN) 파워 디바이스 개발을 목적으로 GaN시스템즈와 협업에 나선다.

로옴은 GaN시스템즈와 5일 GaN 파워디바이스 공동 사업추진을 위한 협약을 체결했다고 밝혔다. 양사는 협약체결을 시작으로 각각 보유한 GaN 파워 트렌지스터 기술 및 부품설계-제조기술 융합을 바탕으로 GaN 디바이스에 최적화된 제품 개발에 적극 나설 예정이다.

아시아는 GaN 시장에서 큰 성장세를 이어가고 있는 지역 중 하나다. 양사는 GaN 파워 디바이스의 공동연구개발도 추진하면서 향후 산업기기, 자동차-가전 산업계에서 요구하는 다양한 제품 개발에 나선다는 전략이다.

짐 위덤(Jim Witham) GAN시스템즈 CEO는 “로옴과 협업 체제를 구축하게 된 것을 기쁘게 생각한다. 양사의 전문지식과 능력을 융합하면서 많은 기업이 고출력·고효율, 소형·경량화를 실현하는 GaN 디바이스의 혜택을 다양하게 얻을 수 있을 것으로 기대한다”고 소감을 밝혔다.

카츠미 아즈마(Katsumi Azuma) 로옴 전무이사는 “파워 디바이스 사업을 성장 전략의 하나로 실리콘카바이드(SiC) 파워 디바이스를 중심으로 제품군 강화에 나서고 있으며, 특히 라인업 강화를 위해 GaN에 대해서도 개발을 추진 중”이라며 “향후 시장 요구에 적합한 폭넓은 파워 솔루션 공급을 목표로 차세대 파워 디바이스 개발을 가속화할 계획”이라고 강조했다.