ST마이크로, GaN 파워IC 경쟁력 강화…‘엑사간’ 지분 인수 발표

최태우 기자 / 기사승인 : 2020-03-27 15:10:13
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[IT비즈뉴스 최태우 기자] ST마이크로일렉트로닉스가 27일 갈륨나이트라이드(GaN) 소재기업 ‘엑사간(Exagan)’의 최대 지분을 인수하는 데 합의했다고 밝혔다. 거래조건은 알려지지 않았다. 인수종료는 프랑스 당국의 규제승인을 받아야 한다.

이번 합의로 ST마이크로는 최대 지분 인수 종료 후 24개월이 지나면 엑사간의 남은 소수 지분도 인수하게 된다. 거래 자금은 가용 현금으로 조달된다.

GaN은 실리콘카바이드(SiC)를 비롯한 와이드 밴드갭(WBG) 신소재다. 고주파 동작을 제공하면서 실리콘(Si) 기반 트랜지스터 대비 효율이 좋고 전력밀도가 높다. GaN/SiC 디바이스는 서버, 통신, 산업용 애플리케이션 PFC(Power Factor Correction) 및 DC/DC 컨버터를 비롯해 전장용 DC-DC 컨버터 및 EV용 온보드 충전기 등 다양한 애플리케이션에 확대되고 있다.

2014년에 설립된 엑사간은 실리콘 기반 기술을 변환한 ‘GaN-on-Silicon’ 기술을 보유하고 있다. 엑사간의 GaN 전력 스위치는 표준 200mm 웨이퍼 팹(Fab)에서 생산할 수 있도록 설계됐다. 본사는 프랑스 그르노블이다.

장 마크 쉐리 ST마이크로 CEO는 “엑사간의 최대 지분 인수는 전력반도체 분야에서의 글로벌 기술 리더십과 함께 장기적인 GaN 로드맵, 에코시스템, 비즈니스를 강화하는 또 다른 진전”이라고 설명했다.

 

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