DB하이텍이 130/110나노(nm) 공정 기반의 RF-SOI(Silicon-on-Insulator) 및 RF-HRS(High Resistivity Substrate) 공정기술을 확보하고 RF 프론트엔드 사업 영역을 확대한다.

RF 프론트엔드는 IT기기 간 송수신(Tx)을 담당하는 핵심부폼으로 스마트폰, IoT 등 통신 관련 장치(장비)에 다양하게 적용된다. 일반적으로 안테나 등 각 부품은 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기(PA)가 제품에 탑재된다.

DB하이텍은 주파수 송수신 간 온/오프 역할을 하는 스위치, 주파수 증폭으로 정확한 신호를 전달하는 저소음증폭기(Low Noise Amplifier, LNA) 등 고속통신에 적용되는 핵심부품에 주력할 계획이다.

DB하이텍은 기존 RF 벌크공정에 누설전류를 차단 및 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 추가하면서 공정기술을 획기적으로 개선했다고 설명했다.

130나노 기반의 RF-SOI 공정의 경우 84fs의 스위치 FOM(Figure of Merit), 4.4V의 BV(Breakdown Voltage) 등 업계 최고 수준을 달성했고, LNA는 최대 120GHz 컷오프 주파수(Ft)까지 지원할 수 있다는 게 사측 설명이다.

110나노 기반으로 한 RF-HRS 공정은 스위치 FOM의 경우 164fs, BV는 4.6V, LNA는 100GHz 차단 주파수 기능을 지원한다. 150GHz 이상의 LNA 제품은 올해 상반기 내 지원을 목표로 기술 개발 중이다.

5G 등 무선통신 기술이 발전하면서 고주파·고감도의 고품질 통신기술에 대한 요구도 늘면서 관련 시장도 성장하고 있다. RF 프론트엔드 시장은 2019년 124억달러에서 2025년 217억달러까지 늘어날 것으로 업계에서는 예상하고 있다.