SK하이닉스, 美 인디애나주에 후공정 생산기지 구축

SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지를 건설하고 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구개발 협력에 나선다. 

SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣 소재 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이같은 계획을 공식 발표했다. SK하이닉스는 이 사업에 38억7000만달러(약 5조2000억원)를 투입한다.

SK하이닉스는 “인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정”이라며, “이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것”이라고 밝혔다. 

SK하이닉스는 인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1천개 이상의 일자리를 창출할 것으로 기대했다.

HBM 등 초고성능 메모리 수요가 급증하면서 어드밴스드 패키징의 중요성이 커진 상태다. AI 메모리 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스는 기술 리더십 강화를 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 부지를 물색해 왔으며 인디애나주를 최종 투자지로 선정했다. 

SK하이닉스는 “주 정부가 투자 유치에 적극 나선 것은 물론 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라도 풍부하다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 높은 평가를 받았다”고 배경을 밝혔다.

에릭 홀콤 인디애나 주지사는 “인디애나주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자”라며 “SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나 주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다”고 밝혔다.

SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 “반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다”며 “이번 투자를 통해 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형 메모리 제품을 공급해 나갈 것”이라고 말했다.

한편 SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질없이 추진한다. 120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 내년 3월 첫 팹(Fab)을 착공해 2027년 초 완공하고 소부장(소재/부품/장비) 중소기업의 기술개발 및 실증·평가 등을 지원하는 미니팹도 건설할 계획이다.