인피니언, 업계 최초 12인치 GaN 웨이퍼 기술 개발

인피니언이 업계 최초 300mm(12인치) 파워 갈륨나이트라이드(질화갈륨, GaN) 웨이퍼 기술 개발에 성공했다.

300mm 웨이퍼는 200mm(8인치) 웨이퍼 대비 장당 2.3배 더 칩을 생산할 수 있는 효율성이 있어, 인피니언은 이 기술이 GaN 파워IC 시장 성장에 기여할 것으로 기대했다.

요흔 하나벡 인피니언 CEO는 “300mm GaN 웨이퍼 기술 개발은 인피니언의 혁신 역량과 글로벌 팀의 헌신적인 노력의 결과”라며 “인피니언은 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 갈륨나이트라이드(GaN) 모두 공급하는 전력 시스템 분야의 리더”라고 말했다.

GaN 전력반도체는 인공지능(AI) 시스템용 전원시스템, 태양광 인버터, 충전기·어댑터, 모터 제어 시스템 등 산업·자동차·컴퓨팅·통신 등 다양한 애플리케이션에 탑재되고 있다.

GaN 제조 공정은 디바이스 성능 향상으로 이어져 고객의 애플리케이션에서 효율적인 성능을 제공하며 전체 비용 절감 등의 이점을 제공한다.

인피니언은 오스트리아 빌라흐 소재 파워 팹의 기존 300mm 실리콘 생산 파일럿 라인에서 300mm GaN 웨이퍼를 제조하는 데 성공했다. 인피니언은 300mm GaN 기술의 이점 중 하나로 기존 300mm 실리콘 제조 장비를 활용할 수 있는 점을 꼽았다.

인피니언은 기존 300mm 실리콘과 200mm GaN 생산에서 쌓아온 역량을 활용하고 있으며 시장 수요에 맞추어 GaN 생산 능력을 확장할 계획이다.