온세미, 코보 ‘SiC FJET’ 기술 자산 인수계약 체결

온세미가 코보(Qorvo)가 보유한 실리콘 카바이드(SiC) JFET(Junction Field-Effect Transistor) 기술 자산을 인수하는 계약을 체결했다고 11일 밝혔다.

양사는 코보와 유나이티드실리콘카바이드(United Silicon Carbide) 자회사를 포함한 실리콘 카바이드 JFET 기술 사업을 1억1500만달러에 인수하는 데 합의했다. 양사 간 이번 거래는 내년 1분기께 완료될 것으로 예상된다.

SiC JFET는 칩 면적당 가장 낮은 온저항을 제공하며 기존 다른 기술의 절반 이하로 사용되며 수십 년 간 실리콘(Si) 기반 트랜지스터와 함께 배포된 일반적인 상용 드라이버를 사용할 수 있다. 

온세미는 “기술 자산 인수를 통해 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC) 전력 포트폴리오를 강화하고 AI데이터센터용 전원 공급장치에서 요구되는 고밀도 전력기술 요구를 충족할 수 있게 됐다”고 설명했다.

향후 전기차(EV) 배터리 차단기, 반도체 차단기(SSCB)와 같은 신흥 시장을 타깃한 제품 포트폴리오도 강화할 계획이라고 이 회사는 전했다.

사이먼 키튼 온세미 파워솔루션그룹 총괄매니저는 “AI워크로드가 복잡해지고 에너지 집약적으로 변함에 따라 높은 에너지 효율을 제공하고 고전압을 처리할 수 있는 안정적인 SiC JFET의 중요성은 커질 것”이라며, “코보의 SiC JFET 기술을 추가함으로써 지능형 전력 포트폴리오를 확장할 수 있게 됐다”고 말했다.