삼성, 8나노(nm) RF 공정기술 개발…통신칩 시장 확대

[IT비즈뉴스 최태우 기자] 삼성전자가 8나노(nm) RF 공정기술을 개발하고 5G 통신용 반도체 파운드리 서비스를 강화한다고 9일 밝혔다.

삼성전자는 8나노 RF 파운드리로 멀티채널/멀티안테나를 지원하는 5G 통신용 RF 단일칩으로 sub-6GHz부터 밀리미터파(mmWave) 영역에 대응하는 5G 통신칩 시장 확대에 나설 계획이다.

삼성전자는 2015년 28나노 12인치 RF 공정 파운드리 서비스를 시작으로 2017년 업계 최초 양산에 들어간 14나노를 포함해 8나노까지 RF 파운드리 솔루션을 확대했다고 설명했다.

RF칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환하거나 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선 주파수 송수신 반도체다.

삼성전자에 따르면, 8나노 RF 공정은 전세대(14나노) 공정비 칩 면적을 약 35% 줄이고 전력효율성도 약 35% 개선했다.

삼성전자는 저전력으로 신호를 크게 증폭할 수 있는 RF 전용 반도체 소자(RFeFET)를 개발해 8나노 RF 공정에 적용했다. RFeFET의 채널 주변부에 특정 소재를 적용, 물리적인 자극을 통해 전자의 이동특성을 극대화했다는 게 사측 설명이다.

삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 이형진 마스터는 “공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 8나노 기반 RF 파운드리는 소형·저전력·고품질 장점을 갖춘 최신 공정기술”이라고 설명했다.