삼성, 1Tb TLC 8세대 V낸드 양산 시작

삼성전자가 세계 최고 용량의 1Tb 8세대 V낸드 양산에 들어갔다.

삼성전자 1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)의 고용량제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상됐다는 게 삼성전자의 설명이다.

8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 ‘토글(Toggle) DDR 5.0’이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다. PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.

삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 전장시스템 시장까지 영역을 넓혀나갈 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 허성회 부사장은 “V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”며, “8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것”이라고 밝혔다.

앞서 삼성전자는 지난 8월 ‘플래시 메모리 서밋’과 10월 ‘삼성 테크 데이’에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다. 올해 8세대 V낸드 양산을, 2024년께 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1,000단 V낸드를 개발하는 기술 로드맵을 밝힌 바 있다.