삼성·SK하이닉스는 D램 장점 활용도 개선, 인텔·마이크론은 병목현상 개선
스토리지 클래스 메모리는 플래시메모리처럼 비휘발성 속성을 제공하면서도 D램처럼 바이트 단위로 랜덤 접근을 지원하는 메모리를 말한다.
차세대 통신 인프라를 기반으로 인공지능(AI), 빅데이터 기술 상용화와 함께 폭증하는 데이터센터 내 트래픽을 처리할 수 있는 메모리 기술로 주목받고 있으며, 주기억장치와 데이터 전송 간 병목현상 개선에 대한 연구도 활발하다.
9일 특허청에 따르면 최근 5년간(2014년~2018년) 스토리지 클래스 메모리 관련 출원은 연평균 46건이다. 이는 이전 5년간(2009년~2013년) 연평균 출원수인 11건 대비 약 4배 증가한 수치다.
기술별 특허출원 동향을 살펴보면 스토리지 클래스 메모리를 주기억장치로 사용하는 기술(58%)이 가장 많았다.
스토리지 클래스 메모리를 보조기억장치로 사용하는 기술(19%), 주기억장치와 보조기억장치의 처리 속도 차이에 따른 병목현상을 개선하기 위해 스토리지 클래스 메모리를 캐시메모리로 사용하는 기술(17%) 순으로 조사됐다.
최근 10년간 출원인별 특허출원 동향을 보면 메모리반도체 기술 특성상 기업과 대학·연구소가 99%로 대다수를 차지했다. 주요 출원인으로는 삼성전자(29%), SK하이닉스(19%), 인텔(16%), 마이크론(10%) 순으로 조사됐다.
인텔은 마이크론과 2015년 공동 개발한 비휘발성메모리 기술(3DXpoint)을 활용해 주기억장치와 보조기억장치의 데이터 처리 속도 차이에 따른 병목현상 개선 연구에 중점을 두고 있는 것으로 분석된다.
특허청 이동영 전자부품심사과장은 “D램과 플래시메모리 시장 점유율 세계 1위인 우리나라에서 스토리지 클래스 메모리 등장은 기회이자 위기일 수 있다”면서 “위기를 기회로 바꾸기 위해서는 관련 기술 동향을 분석하고 연구개발을 지속해 가야 할 것”이라고 말했다.