▲ 아이브이웍스 200mm GaN 에피웨이퍼 [사진=아이브이웍스]
[IT비즈뉴스 최태우 기자] 반도체 소재 스타트업 아이브이웍스가 미국 인텔리에피(IntelliEPI)와 분자선증착기(Molecular Beam Epitaxy, MBE)를 이용한 갈륨나이트라이드(GaN, 질화갈륨) 에피웨이퍼 대량생산과 마케팅 협력을 위한 파트너십을 체결했다.

양사는 5G 네트워크 및 전기차(EV) 전력반도체의 핵심소재인 GaN 에피웨이퍼 시장 확대에서 공동전선을 구축, 대응에 나설 계획이다.

아이브이웍스는 인공지능(AI) 딥러닝 기술로 반도체 박막소재를 원자층 수준으로 정밀 제어하는 반도체 소재 생산기술(에피텍시)을 개발한 스타트업이다. 이를 GaN 에피웨이퍼 생산에 적용하면서 국내 최초로 GaN 에피웨이퍼 생산을 시작했다.

인텔리에피는 대형 양산용 MBE를 이용해 비소(As), 인(P), 안티모니(Sb) 계열의 화합물반도체 에피웨이퍼를 전문 생산하는 미국 반도체 소재기업이다.

고성능 전자소자, 광소자 등의 광범위한 에피웨이퍼 제품군을 보유하고 있으며 대형 양산 MBE를 이용한 대구경 에피웨이퍼 대량생산기술 및 반도체 소재 비즈니스 경험을 갖췄다. 이들 기업은 아이브이웍스의 GaN 생산기술을 접목해 GaN 에피웨이퍼 비즈니스 확장을 추진한다는 계획이다.

노영균 아이브이웍스 대표는 “인텔리에피의 통신 및 광소자 에피웨이퍼 사업에 대한 오랜 경험과 대형 MBE를 이용한 양산기술 및 노하우 덕분에 GaN 에피웨이퍼 사업의 경쟁력을 대폭 강화할 수 있을 것으로 본다”고 말했다.

이어 “이번 파트너십으로 시스템반도체 시장에서 급격히 증가하고 있는 고품질 GaN 에피웨이퍼 수요에 선제적으로 대응하겠다”라고 덧붙였다.

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