SK하이닉스가 HBM3 D램을 업계 최초로 개발했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 차세대 메모리다.

20일 SK하이닉스는 “지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발하는 데 성공했다”며 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론 품질 수준도 크게 높였다”고 설명했다. 

이론적으로 속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.

이 제품에는 오류정정코드도 내장돼 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성도 높였다.

이번 HBM3는 16GB와 24GB 2개 용량으로 출시될 예정이다. 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30μm 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결했다.

SK하이닉스는 이번에 개발한 HBM3가 고성능 데이터센터에 탑재되며 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝(ML)과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터(HPC)에도 적용될 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스 차선용 부사장(D램개발담당)은 “세계 최초 HBM D램을 출시한 SK하이닉스는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어 업계 최초로 HBM3 개발에도 성공했다”며 “프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG경영에 부합하는 제품을 지속 공급하겠다”고 말했다.