ACM리서치가 화합물 반도체 제조를 위한 새로운 장비군 업데이트를 통한 포트폴리오 확장에 나선다고 4일 밝혔다.

ACM리서치는 이번에 확장한 150mm-200mm 브리지 시스템은 갈륨비소(GaAs), 질화갈륨(GaN) 및 실리콘카바이드(SiC) 공정을 포함한 화합물 반도체를 위한 프론트엔드 세척 및 광범위한 웨어퍼레벨패키징(WLP) 애플리케이션을 지원한다고 설명했다.

화합물 반도체 습식 공정 포트폴리오에는 코팅기, 현상액, 포토레지스트(PR) 스트리퍼, 습식 식각 장비, 클리닝 장비 및 금속 도금 장비가 포함됐으며 평면 호은 노치 웨이퍼를 위한 자동화 시스템이 적용됐다.

ACM의 Ultra C SiC 세척장비는 표면 산화를 위한 과산화황 혼합물(SPM)과 잔류물을 제거하기 위한 불화수소산(HF)을 사용하는 SiC 웨이퍼 세척에 최적화된 장비다. SAPS/Megasonix 기술을 사용해 장치 기능의 손상 없이 보다 포괄적이며 전면적인 클리닝을 수행할 수 있다는 게 사측 설명이다.

Ultra C 습식 식각장비는 10% 미만의 공평면도와 3% 미만의 반복성으로 GaAs 및 인듐 갈륨 인화물(InGaP) 공정에 대해 2% 미만의 균일성을 달성하도록 고정밀 설계됐다. Ultra C 습식 에칭장비는 고성능 화학적 온도 제어, 에칭 균일성 및 고순도 수소를 제공한다. 

Ultra ECP GIII 1309 장비는 Cu, 니켈(Ni) 및 주석은(SnAg)을 위한 Cu 기둥 및 솔더는 물론 통합된 사전 습식 및 사후 통합을 통해 재분배층(RDL) 및 범프 언더 금속화(UBM) 공정을 지원하는 장비로 웨이퍼 및 몰드 내에서 3%(최대-최소/2Ave) 미만의 균일성과 2% 미만의 반복성을 달성한다.

Ultra ECP GIII 1108 장비는 사전 습식 및 사후 세척 챔버가 통합된 Au 범핑, 박막 및 딥 비아 프로세스를 제공한다. 스텝 커버리지를 개선하기 위해 딥 비아 도금과 ACM의 패들 기술을 사용하면서 3% 미만의 웨이퍼 내 및 다이 내 균일성과 2% 미만의 반복성을 달성하는 점을 특징으로 내세웠다.

Ultra C ct 접착 장비는 2차 스핀 접착 기술을 사용해 균일한 접착공정을 지원하는 장비로 정밀 접착 제어, 자동 세척 기능, 열판 및 냉각판 모듈, 각 캐비티의 독립적인 공정 제어 기능 등을 지원한다.

Ultra C dv 현상 장비는 노출 후 베이킹, 현상 및 하드 베이킹의 핵심 단계를, Ultra Cs 스크러버 시스템은 ACM의 습식 세정 기술에 기반하여 탁월한 오염 물질 제거효과를 달성할 수 있도록 설계됐다.

Ultra SFP는 TSV(Through Silicon Via) 응용 분야에서 벌크 구리 과부하를 0.2µm까지 제거하고, 기존의 CMP를 사용해 남은 구리를 장벽 층까지 더 제거한다.

습식 에치를 사용해서 장벽 층도 제거할 수 있다. FOWLP의 경우 동일한 공정은 두꺼운 구리층의 응력에 의한 웨이퍼 뒤틀림을 제거할 수 있으며, RDL에서 과도한 구리 부담하고 평탄화에 적용된다.

데이비드 왕 ACM CEO는 “화합물 반도체의 요구사항과 복합 반도체장비 시장은 GaAs, GaN 및 SiC 장치가 미래 전기차, 5G 통신 시스템 및 인공지능 솔루션에 점점 더 필수로 자리하고 있다”며 “이는 ACM에 상당한 성장 기회를 제공할 것으로 기대하고 있다”고 말했다.