한국전자통신연구원(ETRI)이 산업통상자원부-국방부 지원으로 민간기업이 레이더용 질화갈륨(갈륨나이트라이드, GaN) 전력소자 부품을 양산할 수 있도록 돕는 협력사업을 시작한다.

군사용 핵심장비인 레이더는 특성상 높은 출력이 필요하다. 기존 레이더 전력소자에는 진공관, 갈륨비소 소자 등을 사용했으나 수명, 출력 등에서 한계가 있어 고출력·고효율 특성을 지닌 GaN 전력소자 연구개발이 활발하다.

허나 선진국에서는 관련 기술과 제품 유출을 강력히 통제하고 있어 부품을 수입하는 경우 비용이 많이 들고 기술·제품 수급 자체도 제약이 많다.

이 사업의 주관기관인 RFHIC와 ETRI는 다기능 레이더용 GaN 집적회로(MMIC) 공정기술과 설계기술 개발을 추진한다.

앞서 ETRI는 GaN 부품 제작 관련 일괄공정 기술로 다양한 주파수 대역에서 동작하는 전력소자와 이를 활용해 만든 고주파 집적회로(MMIC) 칩을 개발한 바 있다. 

연구진은 국내 팹(Fab)에서 GaN 핵심부품을 양산할 수 있는 집적회로 공정기술을 개발, 파운드리 서비스를 제공하는 것을 목표하고 있다.

공동연구를 통해 개발된 기술은 실제 국방용 부품에 적용하고 외산 기술과 부품을 효과적으로 대체할 수 있도록 신뢰성 시험까지 진행할 예정이다. 

ETRI 강동민 RF/전력부품연구실장은 “국내에서 GaN 관련 기술이 가장 앞서 있는 두 기관이 함께 연구를 진행하게 돼 의미가 크다. 양측이 시너지를 내면서 국방 핵심부품 원천기술을 확보하고, 부품 국산화 토대를 구축하는 데 매진하겠다”라고 밝혔다. 

향후 연구진은 개발 업체와 함께 군수 핵심부품을 국산화하는 연구를 진행하는 한편, 주파수 대역 확장 및 성능 고도화를 통해 수출 규제를 극복하고 국내 무기체계 경쟁력 달성에 노력할 예정이다.