모바일 D램 제품으로는 처음으로 HKMG(High-K Metal Gate) 공정이 적용된 LPDDR5X 메모리 [사진=SK하이닉스]
모바일 D램 제품으로는 처음으로 HKMG(High-K Metal Gate) 공정이 적용된 LPDDR5X 메모리 [사진=SK하이닉스]

SK하이닉스가 모바일 D램 제품으로는 처음으로 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 적용한 LPDDR5X 개발에 성공했다고 9일 밝혔다.

모바일용 D램으로 불리는 LPDDR은 주로 스마트폰이나 노트북, 태블릿 PC 등 무선 전자기기에 사용되는 D램이다. 

일반적인 D램과 비교해 크기도 작고 전력도 더 적게 필요하다는 특징 덕분에 무선 전자기기에 탑재되며, 규격명에 LP(Low Power)라는 표현이 사용된 만큼 소비전력을 낮추는 것이 최대 과제다.

스마트폰을 비롯한 모바일 디바이스의 수요가 폭발적으로 늘어나며 LPDDR 기술도 빠르게 고도화되고 있다. 현재 DDR은 DDR5로 5세대까지, LPDDR은 5X로 7세대까지 개발됐다.

HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. SK하이닉스는 “속도를 빠르게 하면서도 전력소모를 줄일 수 있는 점이 특징”이라고 소개했다.

SK하이닉스는 이 제품 개발 단계에서 업계 최초로 HKMG 공정을 도입했다고 밝혔다. 고성능은 물론 모바일 D램 중 최저 전력소모 특성을 구현했다는 것이다.

SK하이닉스는 최근 LPDDR5X 양산에 들어가 시장에 제품을 공급하고 있다. 이번 제품의 동작속도는 초당 8.5Gb로 전 세대비 33% 빠르다.

이번 LPDDR5X 신제품은 초고속을 구현하는 동시에 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01∼1.12V에서 작동한다. 기존 제품 대비 소비전력이 25% 줄어 현재 시장에 출시된 모바일 D램 중 전력사용 효율성이 가장 높다고 SK하이닉스는 설명했다.

SK하이닉스는 최근 LPDDR5X 단품 칩을 여러 개 결합해 만든 16GB의 패키지를 시장에 출시했다. 패키지 제품의 데이터 처리속도는 초당 68GB로, 풀HD(FHD)급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다.

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