▲ [사진=인피니언테크놀로지스]
[IT비즈뉴스 최태우 기자] 인피니언이 8mΩ/150A 전류 정격의 1200V 하프 브리지 모듈로 CoolSiC 자동차용 MOSFET 기술을 채택한 이지팩(EasyPACK) 디바이스를 출시한다고 밝혔다.

새로운 모듈은 인피니언의 실리콘카바이드(SiC) 트렌치(trench) MOSFET 구조를 기반으로 한다. 플래너(planer) 구조와 비교해서 트렌치 구조는 더 높은 셀 밀도 구성이 가능한 점이 특징이며 더 낮은 게이트 산화막 전계 강도에서 동작할 수 있어 높은 신뢰성을 제공한다.

1세대 CoolSiC 자동차용 MOSFET 기술은 트랙션 인버터에 최적화됐다. 특히 부분 부하 조건에서 전도 손실을 최소화하도록 설계됐다. 여기에 SiC MOSFET의 낮은 스위칭 손실이 결합하여 인버터 동작 시에 손실을 실리콘 IGBT 대비 60%까지 낮출 수 있다는 게 인피니언의 설명이다.

CoolSiC 자동차용 MOSFET이 높은 단락, 방사선(cosmic ray), 게이트 산화막 견고성을 달성하도록 테스트-설계됐으며 AQG324 표준을 지원한다. 디바이스는 현재 양산에 들어간 상태다.

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