SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품(HBM3E) 개발을 성공하고 성능 검증 절차를 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다. HBM은 다수의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리속도를 높인 고부가가치 메모리다. 고객사는 엔비디아로 보인다.

앞서 지난 6월 엔비디아는 SK하이닉스에 HBM3E 샘플 공급을 요청한 것으로 알려졌다. HBM3E는 HBM3의 차세대 D램 모듈이다.

SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어갈 예정”이라고 밝혔다.

SK하이닉스에 따르면, 이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도를 포함해 발열 제어, 고객 사용편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다.

트렌드포스에 따르면, 지난해 말 기준 글로벌 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 50%대 점유율을 유지하고 있다.

HBM3E는 초당 최대 1.15TB 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD(FHD)급 영화(5GB) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. HBM3E는 하위 호환성도 갖춰 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 바로 적용할 수 있는 점도 특징이다.

SK하이닉스 “이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능도 기존 대비 10% 개선했다”고 전했다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 칩 하나씩 쌓을 때 필름형 소재를 하나씩 깔아주는 방식과 비교해 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이다.

이안 벅 엔비디아 하이퍼스케일·HPC 담당 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간 협업이 계속되길 기대한다”고 밝혔다.

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 “HBM3E를 통해 AI기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM 시장에서 라인업 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다.