SK하이닉스가 5세대 고대역폭 메모리(HBM) ‘HBM3E’ D램 양산을 시작한다고 19일 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과고, 이 제품은 엔비디아에 납품될 것으로 알려졌다.

SK하이닉스는 “SK하이닉스는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객사에 공급하게 됐다”며, “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어갈 것”이라고 밝혔다.

엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 

AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있는 상황에서 HBM3E가 이를 충족시켜줄 제품이 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다.

SK하이닉스는 “HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다”고 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB의 데이터를 처리할 수 있는데, 이는 풀HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

아울러 신제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 열 방출 성능을 전 세대 대비 10% 향상시켰다고 SK하이닉스는 설명했다.

MR-MUF 공정은 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하는 것으로, 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식보다 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이다.

어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고 휨 현상 제어도 높인 점이 특징이다.

SK하이닉스 류성수 부사장은 “세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 강화했다”며, “축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 토털 AI 메모리 프로바이더로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.