미국 정부가 전세계 파운드리 1위 기업 TSMC에 총 116억달러를 지원하기로 했다. 삼성전자에 대한 지원 규모도 조만간 발표될 것이라는 외신 보도도 나왔다.

미국 상무부는 8일(현지시간) TSMC에 반도체 공장 설립 보조금 66억달러(약 8조9000억원)를 지원한다고 발표했다. 미 상무부는 이 보조금에 더해 50억달러(약 6조8000억원) 규모의 저리 대출도 제공하기로 했다.

TSMC가 받게 되는 보조금 66억달러는 당초 예상됐던 50억달러 대비 30% 이상 늘어난 규모다. TSMC는 보조금 외 별도로 투자금에 대한 일부 세액공제 혜택도 받을 것으로 예상된다.

미국정부의 이같은 지원은 첨단 반도체의 공급망을 국내로 끌어들이기 위한 경제·안보 전략의 일환이다. 미국은 중국과의 기술패권 대결이 심화되는 상황에서 반도체에 대한 해외 의존도가 높다는 것을 안보위험으로 간주해 왔다.

조 바이든 대통령은 이날 성명에서 “미국이 반도체를 발명했지만 시간이 지나면서 우리 반도체 생산량은 전세계 40%에서 10%까지 줄었고, 최첨단 반도체는 생산하지 못해 경제와 국가 안보에 심각한 취약성을 드러냈다”고 말했다.

이어 “반도체법(Chips Act)으로 이 흐름을 되돌리고자 한다”며 “이번 조치로 전세계에서 가장 진보된 반도체를 생산해 미국이 2030년까지 전세계 최첨단 반도체의 20%를 생산할 수 있게 할 것”이라고 말했다.

바이든 행정부의 이같은 조치에 TSMC는 미국 내에 첨단 반도체 설비를 대폭 늘리겠다고 약속했다.

TSMC는 미국 내 투자 규모를 250억달러(33조9000억원) 늘어난 650억달러(88조1000억원)로 확대하고 2030년까지 애리조나주에 2나노(nm) 공정이 활용될 세 번째 팹(Fab)을 건설한다는 계획을 발표했다.

TSMC는 같은 날 보도자료를 통해 “첫 번째 팹은 2025년 상반기에 4나노 기술을 활용한 생산을 시작할 예정”이라며 “앞서 발표한 3나노 기술에 더해 차세대 나노시트 트랜지스터를 활용해 세계 최첨단 2나노 공정 기술로 생산하는 두 번째 팹은 2028년 조업을 시작할 것”이라고 밝혔다.

지나 러몬도 상무부 장관은 TSMC의 650억달러 투자는 미국 사상 외국인 직접투자로는 최대 규모라고 말했다.

한편, 삼성전자에 대한 미국정부의 보조금 규모도 윤곽이 드러나고 있다. 로이터통신은 8일(현지시간) 이 사안을 잘 알고 있는 2명의 소식통을 인용해 “(미국) 정부가 내주 삼성전자에 대한 60억~70억달러 규모의 보조금을 발표할 것”이라며 “인텔·TSMC에 이은 세 번째 규모가 될 것”이라고 보도했다.

이같은 내용에 미 상무부는 논평을 거부했고 삼성전자, 텍사스 주지사 공보관도 논평에 즉각 응답하지 않았다고 로이터는 전했다.

로이터 보도에 따르면, 삼성전자는 보조금을 2021년 발표한 170억달러 규모의 칩 제조 시설과 연구개발(R&D) 센터를 포함해 테일러 반도체 공장 건설에 사용된다.

추가 투자 규모까지 포함해 삼성전자의 텍사스주 공장 관련 전체 투자규모는 440억달러로 예상된다.