‘High-K EMC’ 적용으로 열전도도 3.5배, 열 저항 47% 개선

SK하이닉스가 새로 개발한 신소재 'High-K EMC'를 적용한 고방열 모바일 D램 [사진=SK하이닉스]
SK하이닉스가 새로 개발한 신소재 'High-K EMC'를 적용한 고방열 모바일 D램 [사진=SK하이닉스]

SK하이닉스가 업계 최초 ‘High-K EMC’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발하고 관련 고객사를 대상으로 공급을 시작한다고 28일 밝혔다.

에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound, EMC)는 수분이나 열, 충격·전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수재료다.

High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도도를 높인 것으로, 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재다.

SK하이닉스는 “온디바이스AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다”며, “이번 제품으로 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다”고 밝혔다.

최신 플래그십 스마트폰은 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 패키지온패키지(PoP) 방식을 적용하고 있다.

이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시키는 장점이 있지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적돼 전체적인 스마트폰 성능 저하가 발생할 수 있다.

SK하이닉스는 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다. 기존 EMC의 소재로 사용한 실리카에 알루미나를 혼합 적용한 신소재를 적용했다.

SK하이닉스에 따르면. 이를 통해 열전도도를 기존보다 3.5배 수준으로 대폭 개선했고 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다.

SK하이닉스는 “향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간과 제품 수명 연장에도 기여한다. 이같은 효과로 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 예상하고 있다”고 밝혔다.

SK하이닉스 이규제 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.

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