전 세대비 두께 15% 감소, 온디바이스AI 구현에 최적화

SK하이닉스가 321단 1Tb TLC 4D 낸드플래시를 적용한 UFS 4.1을 개발했다. [사진=SK하이닉스]
SK하이닉스가 321단 1Tb TLC 4D 낸드플래시를 적용한 UFS 4.1을 개발했다. [사진=SK하이닉스]

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 1Tb TLC 4D 낸드플래시를 적용한 모바일용 솔루션 제품인 UFS 4.1을 개발했다고 22일 밝혔다.

최근 온디바이스AI 수요가 늘면서 기기의 연산 성능과 배터리 효율 간 균형이 중요해지고 있어 모바일 기기의 얇은 두께와 저전력 특성은 업계 표준으로 자리잡고 있다.

SK하이닉스는 “시장 트렌드에 맞춰 전력 효율을 전 세대인 238단 낸드 기반 제품 대비 7% 개선했다. 제품의 두께도 1mm에서 0.85mm로 줄이는 데 성공해 초슬림 스마트폰에 탑재할 수 있도록 개발했다”고 설명했다.

이번에 개발한 제품은 UFS 4세대 제품의 순차 읽기 최대 성능인 4,300MB/s의 데이터 전송 속도를 지원한다. 모바일 기기의 멀티태스킹 능력을 좌우하는 랜덤 읽기와 쓰기 속도 모두 이전 세대보다 각각 15%, 40% 개선됐다.

SK하이닉스는 2개 용량 버전(512GB/1TB)으로 개발한 이번 제품을 연내 고객사에 제공해 인증을 진행하고 내년 1분기부터 본격 양산에 돌입할 계획이다.

SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO)은 “이번 제품 출시를 필두로 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반 소비자용, 데이터센터용 SSD 제품도 연내 개발을 완료할 계획”이라며 “낸드 부문에서도 AI기술 경쟁력을 갖춘 제품 포트폴리오를 구축해 풀스택 AI메모리 프로바이더로서의 입지를 굳건히 하겠다”고 말했다.

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