[IT비즈뉴스 최태우 기자] 실리콘카바이드(SiC) 파워IC 기업인 유나이티드SiC(UnitedSiC)가 다양한 전력 애플리케이션 및 토폴로지의 성능 비교를 검증하는 툴셋(FET-Jet Calculator)을 발표했다. 

전력 설계를 위한 최적의 UnitedSiC FET를 확인하기 위해 사용자는 애플리케이션 기능 및 토폴로지를 선택하고 설계 파라미터 세부 정보를 입력하면 된다.

FET-Jet Calculator는 전도, 턴온 및 턴오프 기여도로 분류되는 스위치 전류, 효율성 및 손실을 자동으로 계산한다. 동작 온도 및 히트 싱크 등급을 입력하면 예상 동작 접합 온도를 나타낸다.

사용자는 스토리지 인덕터 및 스위칭 주파수 값을 다르게 적용해 다양한 토폴로지의 전도모드 변화의 영향을 실시간 확인·검증할 수 있다. 단일 또는 병렬장치의 선택에 따라 다양한 전류 정격을 가진 장치의 전반적인 성능을 상대적으로 보여줄 수 있다.

이 툴은 정격전압이 선택한 토폴로지와 조건에 적합하지 않은 경우에 조언을 제공하고 사용자가 실행 가능한 솔루션에 빠르게 도달할 수 있도록 지원한다.

모든 UnitedSiC FET 및 쇼트키(Schottky) 다이오드(TO-220, TO-247, TO-247/4L, DFN8x8 패키지 및 최근에 출시된 Gen 4 750V SiCFET를 포함)는 정렬 가능한 테이블에서 선택할 수 있다.

아눕 발라 유나이티드SiC 부사장은 “올바른 전원 토폴로지에서 올바른 디바이스를 선택하는 것이 SiC로의 전환을 고려하는 전력 설계자에게 장벽이 되지 않아야 한다. 이것이 우리가 FET-Jet Calculator를 개발한 이유”라고 설명했다.

이어 “SiC를 처음 고려하는 개발자나 최적의 SiC를 찾는 개발자에게 FET-Jet Calculator는 다양한 전력 토폴로지에서 UnitedSiC FET를 빠르고 쉽게 평가할 수 있는 방법을 제공하며 고급 수준의 시뮬레이션을 제공해 개발속도를 높일 수 있다”고 부연했다.