[IT비즈뉴스 최태우 기자] 인피니언이 650V 쿨SiC(CoolSiC) 하이브리드(Hybrid) IGBT 디스크리트 포트폴리오를 확장한다고 밝혔다.

CoolSiC 하이브리드 제품군은 650V TRENCHSTOP 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드가 결합된 형태로 구성된다. 순수 실리콘(Si) 디바이스와 고성능 실리콘카바이드(SiC) MOSFET의 중간성질을 갖춘 모듈로 Si 솔루션 대비 전자기 적합성과 시스템 신뢰성을 향상시킨다.

우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 역률보상(PFC)에 적합해 배터리충전인프라, 에너지저장솔루션, 태양광인버터, 무정전전원장치(UPS) 등 다양한 애플리케이션 설계에 적용할 수 있다.

이 IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어다이오드를 패키지에 통합해 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮추는 점이 특징이다.

표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60%, Eoff는 최대 30%까지 낮춘다는 게 사측 설명이다.

출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40%까지 높일 수 있다. 스위칭 주파수를 높이면 수동 부품의 크기를 줄일 수 있으므로 BOM 비용을 낮출 수 있다.

쇼트키 배리어 다이오드의 유니폴라 특성으로 다이오드가 심한 발진이나 기생 턴온의 위험 없이 빠르게 스위칭할 수 있다. 디바이스는 TO-247-3핀 패키지, TO-247-4핀 켈빈 이미터 패키지로 공급된다.