SK하이닉스가 최고속 서버용 D램 제품인 ‘DDR5 MCR DIMM’의 샘플 개발에 세계 최초로 성공했다고 밝혔다. 이번 제품은 동작속도가 초당 8Gb 이상으로 초당 4.8Gb인 서버용 DDR5보다 속도가 80% 넘게 빨라졌다.

SK하이닉스는 이번에 개발한 MCR DIMM에 DDR5의 동작 속도를 높이기 위해 새로운 개념이 도입됐다고 설명했다.

그간 DDR5의 속도는 D램 단품의 동작 속도에 좌우된다는 것이 일반적인 인식이었으나, 이번 제품에서는 D램 단품이 아닌 모듈을 통해 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐다.

SK하이닉스 연구진은 MCR DIMM에 탑재한 데이터 버퍼를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다.

보통 D램 모듈에서는 1개의 랭크에서 한 번에 64바이트의 데이터가 CPU에 전송되지만 MCR DIMM에서는 2개의 랭크가 동시 동작해 128바이트가 CPU에 전송된다. 

모듈에서 CPU로 가는 회당 데이터 전송량을 늘려 D램 단품보다 2배 가까이 빠른 8Gbps 이상의 속도를 구현했다는 게 SK하이닉스의 설명이다.

SK하이닉스는 인텔, 르네사스반도체와의 글로벌 협업이 주효했다고 설명했다. 이들 기업은 제품이 나오고 세계 최고 속도와 성능이 검증되기까지 긴밀하게 협업해 왔다.

SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장에서 MCR DIMM의 수요가 늘 것으로 예상하고 고객사 수요가 본격화되는 시점에 맞춰 양산에 나설 계획이다.

SK하이닉스 류성수 부사장은 “SK하이닉스의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 제품 개발이 가능했다”며, “실제로 MCR DIMM이 안정적으로 성능을 내려면 모듈 내외에서 함께 동작하는 데이터 버퍼와 서버 CPU간의 상호작용이 매우 중요하다”고 말했다. 

데이터 버퍼는 모듈에서 보내는 다수의 신호를 중간에서 전송하고 서버 CPU는 데이터 버퍼를 거쳐 오는 신호를 처리하는 역할을 수행한다.

류 부사장은 “세계 최고 속도의 MCR DIMM 개발을 통해 DDR5의 기술력 진화를 이뤄냈다”며 “기술한계 돌파를 위해 지속 노력해 서버용 D램 시장에서 1등 경쟁력을 공고히 하겠다”고 덧붙였다.

디미트리오스 지아카스 인텔 메모리IO 기술 부문 부사장은 “인텔은 SK하이닉스와 함께 차세대 서버 CPU에 최적화돼 적용될 초고속 제품 개발을 주도해왔다”며 “앞으로도 MCR DIMM의 표준화와 후속 제품 개발을 위해 긴밀히 협업하겠다”고 말했다.

사미르 쿠파할리 르네사스 메모리 인터페이스 부문 부사장은 “르네사스가 개발한 데이터 버퍼는 제품의 구상부터 완성까지 3년 간 여러 기술이 집약된 노력의 결실”이라며 “SK하이닉스, 인텔과 협업해 혁신적인 제품을 개발하게 돼 기쁘다”고 밝혔다.